輸入點數：32點。
輸入電壓：DC12 +10%/15%。
輸入電流：4mA(DC12V)。
輸入阻抗：2.2KΩ。
響應時間(ON延遲)：最大8ms。
響應時間(OFF延遲)：最大8msCQM1H-ABB21基礎知識。
外部連接：連接器。
輸入/公共端：32。
電流消耗(DC5V)：最大170mA。
操作電壓(ON電壓)：最小DC8.0VCQM1H-ABB21
操作電壓(OFF電壓)：最大DC3.0V。
包括高速計數器板和串行通信板在內，
擁有各種先進的內裝板。
在CPU單元中安裝所要求的內裝板就可以滿足各種機器的應用要求CQM1H-ABB21基礎知識。
串行通信板能與任何帶有串行通信端口的裝置進行通信，
比如溫度控制器或條碼讀取器。
叫根據機器的規格，尺寸或控制對像，配置最優的控制系統。40點輸入輸出型。
電源：DC電源 。
輸出形式：晶體管（漏型）。
輸入：24點。
輸出：16點。
PLC梯形圖中的某些編程元件沿著繼電器這一名稱，
例如輸入繼電器，輸出繼電器輔助繼電器等，
但是它們不是真實的物理繼電器(即硬件繼電器)，
而是在軟件中使用的編程元件，
每一編程元件與PLC存儲器中的元件映像寄存器的一個存儲器單元相對應。
以輔助繼電器M0為例，如果對應的存儲單元為0狀態，
梯形圖中的M0的線圈"斷電"，其常開觸，其常開觸點接通，
常閉觸點斷開，稱M0為OFFCQM1H-ABB21基礎知識。該存儲單元如果為1狀態，
M0的線圈"通電"其常開觸點接通，
常閉觸點斷開，稱MO為狀態，或稱MO為ON。UM：7K字；
DM：1K字。
要將程序寫入EPROM，請使用標準PROM寫入器。
在EPROM存儲器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲器盒內。
若將EPROM存儲器盒從CPU上拆下，不會丟失它的數據。
CPU有一個安裝存儲器盒的艙。
存儲器盒作為RAM和CPU內置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲器盒。輸入點數：32點。
輸入電壓和電流：6mA，24VDC。
將單元安裝到CPU裝置時，最多可控制960點。
CS1提高高級空間效率。只需將10個基本I/O單元(各96個I/O點)安裝到CPU裝置，
即可控制多達960個I/O點。或者，通過按住五個模擬量輸入單元和五個模擬量輸出單元，
也可控制多達80個模擬量I/O點。
提高了數據鏈接、遠程I/O通信和協議宏的刷新性能。
以前，僅在執行指令后的I/O刷新期期間，CPU總線單元才會發生I/O刷新CQM1H-ABB21編程手冊。
但是，借助新CS1，通過使用用DLNK指令，可立即刷新I/OCQM1H-ABB21編程手冊。
立即刷新特定于CPU總線單元的過程意味著可提高CPU總線單元的刷新響應性，
如執行指令時用于數據鏈接和DeviceNet遠程I/O通信和分配的CIO區/DM區字的過程。