輸入點(diǎn)數(shù)：2點(diǎn)。
信號(hào)范圍：直流電壓：0～1.25V、－1.25～＋1.25V、0～5V、1～5V、－5～＋5V、0～10V、－10～＋10V、正負(fù)10V以?xún)?nèi)的任意范圍 直流電流：0～20mA、4～20mACP1E-N30DR-D初級(jí)教程。
轉(zhuǎn)換速度：10ms/2點(diǎn)。
綜合精度：精度：全量程正負(fù)0.05% 分辨率:1/64000。
外部連接：可卸端子塊CP1E-N30DR-D
單個(gè)單元，其處理所有類(lèi)型的輸入，
例如溫度傳感器輸入和模擬量信號(hào)輸入（例如4～20mA或1～5V）。
一個(gè)單元支持四個(gè)輸入通道，
每個(gè)通道可以設(shè)定為鉑電阻、熱電偶和DC信號(hào)（電流、電壓）CP1E-N30DR-D初級(jí)教程。
所有輸入均絕緣。
在一個(gè)單元中最多支持四種輸入：鉑電阻、熱電偶和DC電流/電壓。
輸入通道之間的絕緣阻止輸入通道之間不需要的電流通路。
輸入電壓/電流，將定標(biāo)值以四位十六進(jìn)制數(shù)形式傳輸?shù)紺PU單元。
過(guò)程值報(bào)警，每個(gè)輸入有兩個(gè)報(bào)警。
報(bào)警ON延時(shí)計(jì)時(shí)器以及過(guò)程值的磁滯。
操作期間零/跨度調(diào)整功能。
輸入錯(cuò)誤檢測(cè)。
檢測(cè)到輸入錯(cuò)誤時(shí)可以指定最大或最小過(guò)程值。
具有完全多重輸入、高速和高分辨率（分辨率256,000，60ms/ch可用）的單元。電磁型，用于短距離。
ID傳感器單元是一種非接觸式識(shí)別系統(tǒng)，
用于統(tǒng)一產(chǎn)品、統(tǒng)一生I/O插槽數(shù)：3槽，I/O模塊安裝在擴(kuò)展底板上CP1E-N30DR-D初級(jí)教程。
除了CPU中內(nèi)置的標(biāo)準(zhǔn)上位機(jī)鏈接端口外，
在CPU上還可安裝一塊有6種類(lèi)型可供選擇的通信板，
這些任選通信板為SYSMAC LINK或SYSMAC NET單元的連接，
為了與調(diào)制解調(diào)器/可編程終端、條形碼讀入器、溫度控制器
或任何一種帶RS-232C/RS-422設(shè)備的通信提供了簡(jiǎn)捷的途徑。
過(guò)去，PC連接一個(gè)測(cè)量設(shè)備或元器件必須要給ASCII單元或BASIC單元編寫(xiě)一個(gè)通信程序。
而今，C200HX/HG/HE PC裝上通信協(xié)議宏功能，
能將這些通信程序通過(guò)PMCR指令配置到梯形圖程序中，
用這個(gè)功能系統(tǒng)可以方便地與各種各樣的元器件相連。
適用的系統(tǒng)：僅限雙CPU單I/O擴(kuò)展系統(tǒng)。
電源單元數(shù)量：最多2個(gè)單元（對(duì)于雙機(jī)操作）。
I/O單元數(shù)量：最多9個(gè)單元。
無(wú)法安裝C200H系列單元。cmos-ram單元：內(nèi)置備用電池。
UM：3K字；
DM：1K字。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作CP1E-N30DR-D操作手冊(cè)。
可選用EEPROM和EPROOM存儲(chǔ)器盒CP1E-N30DR-D操作手冊(cè)。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫(xiě)入器。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)。
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)。